膜結構充電樁系統中存儲電路的設置

　　據悉，膜結構充電樁充電系統中存儲模塊有兩個部分，一個存儲芯片是FM24CLO4B，存儲直流充電樁系統本身的一些重要參數;另一個存儲芯片是大容量的AT45DB161DTU，存儲充電交易記錄中的歷史數據。

　　為了保障充電樁系統重要參數存儲的牢靠性，防止出現數據的丟失或者誤操作，有膜結構系統設計時放棄使用MCU內部EEPROM，采用了優良的數據存儲電路。存儲器采用鐵電存儲器FM24CLO4B，芯片通過IC串行擴展總線與MCU進行數據通信，SCL提供時鐘，SDA進行數據輸送，采用全雙工模式進行數據交換。芯片為非易失性鐵電隨機串行存儲器，內部具有512字節大小的存儲空間，讀寫次數達100億次，掉電數據能保存10年，總線速度可以達到1MHz，而且寫數據無延時。該膜結構充電樁系統的工作電壓為3.3V，工作電流為150uA，采用8腳的SOIC封裝。

　　為了防止在充電樁系統運行或者上電過程中出現對該芯片的誤寫入，系統對其采用了可控的供電方式，即當MCU工作穩定且需要讀寫數據時才對芯片進行上電。為了存儲充電交易，記錄歷史測量數據，系統選用大容量存儲器AT45DB161DTU。該存儲器使用模擬SPI（串行外設接口）進行數據讀寫。芯片是采用串行接口進行數據交換的閃存，供電電壓低，適合應用于數字，圖像，軟件程序等文件的存儲。其內存空間分為8192頁，每頁可以存儲512個字節大小的數據。

　　膜結構充電樁系統中的芯片支持快速串行接口，可以進行速度較高的讀寫操作?？焖俅薪涌诳杉嫒軸PI數據交換格式，較高工作頻率為66Hz，采用28腳的SOIC封裝。